道客优

据《财新》6月12日报道，经过多年摸索，中国首款自主研发的DRAM芯片终于投入市场。5月以来，多款搭载长鑫存储DRAM芯片的内存条上市，下游合作厂商包括江波龙、光威等。这些内存条产品均采用长鑫存储的双倍数据速率（DDR4）内存芯片，频率以2666Mhz为主，容量为8GB和16GB。模组厂商江波龙于5月15日宣布，长鑫存储的颗粒已通过其EVT完整的颗粒级测试，并已推出三款搭载长鑫存储颗粒的内存产品。

实际上，早在5月21日媒体就报道，全球第二大内存品牌威刚科技宣布在中国市场推出采用合肥长鑫DDR4内存芯片的内存条，这些内存条均经过严格的兼容性测试标准，可以完美兼容于现有采用Intel、AMD处理的各种台式机和笔记本电脑，这代表着合肥长鑫的内存芯片正式进入市场。

值得注意的是，长鑫存储的生产效率和国际大厂相比仍有一定差距。这一方面是由工艺制程所致，长鑫存储的DDR4颗粒采用19nm制程，等同于20nm或者1X工艺，较三星、美光的1Y工艺（16-14nm）仍有差距。上述资深行业人士表示，工艺有差距意味着生产效率更低，以相同晶圆切割出来的颗粒数来看，长鑫不及三星的一半。

内存也叫做存储器，是整个半导体行业三大支柱之一。全球半导体贸易协会（WSTS）数据显示，2019年全球半导体市场规模为5000亿美元，其中，存储器市场规模1155亿美元，占比高达22%。

IC Insights数据显示，韩国三星、海力士和美国美光科技三大厂商共占全球存储芯片市场份额的95%。其中，三星占据市场份额最大，达44．5%，得益于存储业务的高速增长，三星在2017年超越了英特尔，成为全球第一大半导体厂商。位列二三名的海力士和美光分别占市场的27．9%和22．9%。

中国是全球最大的DRAM芯片进口国。因核心技术被垄断，我国在这方面的发展速度极为缓慢。加之电子产业对DRAM存在刚性需求，仅去年一年，DRAM芯片的价格就上涨了40%之多。

2014年中国成立集成电路产业基金，存储芯片正是其中一个扶持的重点，随后诞生了长江存储、合肥长鑫和福建晋华等三大存储芯片企业，其中长江存储生产NAND Flash存储芯片，合肥长鑫和福建晋华生产DRAM内存芯片。

合肥长鑫在2016年成立，经过数年的努力，它在去年宣布成功投产DRAM内存芯片，近期威刚科技采用它的DRAM内存芯片推出DDR4内存条上市销售，代表着它的DRAM内存芯片真正实行了规模化量产。

据官网介绍，长鑫存储的事业2016年在安徽合肥启动。公司目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产，是规模最大、技术最先进的中国大陆DRAM设计制造一体化企业。DDR4 内存芯片是第四代双倍速率同步动态随机存储器。相较于上一代DDR3 内存芯片, DDR4 内存芯片拥有更快的数据传输速率、更稳定的性能和更低的能耗。长鑫存储自主研发的DDR4 内存芯片满足市场主流需求，可应用于PC、笔记本电脑、服务器、消费电子类产品等领域。

除了合肥长鑫，长江存储在闪存方面的进展也取得了突破。2019年9月，长江存储正式对外宣布64层256 Gb 3D NAND闪存问世，可满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。目前，长江存储的64层3D闪存产品在国家存储器基地实现量产，月产能大约10 万片，在二期项目中将会达到30万片/月产能。