6月1日消息,来自国外媒体的报道,三星近日宣布将投资7-8 万亿韩元(约合人民币 407-465 亿)来扩大其 NAND 闪存芯片的生产。
三星表示,将投资韩国平泽市工业园区的2号生产线以扩大产能,应对因新冠疫情而扩大的生产电脑与服务器对芯片的需求,目前新工厂已经在数月以前就开始动工。
从进入21世纪以来,三星就一直是存储芯片行业的领导者,近期三星又实现了新的技术突破,业内首次多达160层的 V-NAND 闪存设计。它在拥有更高存储容量的同时,芯片密度更高。
据悉,这次的新工厂 V-NAND 芯片的量产将会在 2021 年下半年开始,建成后将会满足会满足 NAND 闪存芯片的中期和长期需求。目前,在三星的平泽工业园区中,已经建成的有世界上两条最庞大的闪存及内存芯片生产线。